? 標稱頻率: 晶體振蕩器的中心頻率或標稱頻率。

? 封裝: 晶體振蕩器有很多種不同的封裝形式，有引腳的，也有表面貼裝的。不同的尺寸和功能可以適用于不同的應用。

? 頻率公差: 以PPM為單位，在室溫條件(25° ± 5°C)下，振蕩器頻率相對于標稱頻率的偏差。

? 頻率范圍: 不同振蕩器的類型或型號可以實現的頻率范圍。

? 頻率穩定度: 在某個特定的溫度范圍內，頻率相對于在25 °C 條件下的頻率可允許的最大頻率偏差，如在0° C 到+70° C范圍內，典型的頻率穩定度為± 0.01% ( ±100 ppm)。

? 工作溫度范圍 : 在這個溫度范圍內，振蕩器的輸出頻率，電性能指標以及其他環境特性能滿足指標要求。

? 老化: 在某個特定的時間范圍內，頻率的相對變化量。頻率的變化量通常以指數的形式表示，典型的老化特性為1年最大為5ppm。

? 儲存溫度: 是指器件安全存放的溫度范圍，在這個溫度范圍內，器件不會受到損害或性能發生變化。

? 對稱性或占空比: 在指定的輸出電平處，振蕩器輸出波形的對稱性 (TTL為1.4V，HCMOS為1/2 Vcc電平處，ECL為輸出峰值的? 波形處)。

? 扇出: 振蕩器的輸出能力的測量，通常表示為一個單輸出能驅動的輸入的數量?？梢员硎緸榈刃У呢撦d阻抗值 (CL) 或者一個包含二極管、負載電阻和電容的TTL負載電路。

? 上升時間(Tr ): 波形從低電平到高電平轉換的上升時間，在指定的電平處測量：

HCMOS為從10%至90%

ECL為從20%至80%

TTL為從0.4V至2.4V

? 下降時間(Tr ): 波形從高電平到低電平轉換的下降時間，在指定的電平處測量：

HCMOS為從90%至10%

ECL為從80%至20%

TTL為從2.4V至0.4V

? 抖動: 振蕩器輸出相位或頻率的調制的測量。

? HCMOS/ TTL 兼容: 振蕩器設計使用ACMOS邏輯IC，具有驅動TTL和HCMOS負載的能力，同時保持最低HCMOS邏輯高電平的能力。

? 三態使能端: 當輸入端為開路或連接到邏輯電平“1”， 振蕩器正常輸出。當輸入端接地 (連接到邏輯電平 “0”) ，輸出為高阻抗狀態。輸入端內部有一個邏輯開關電阻，允許輸入端為開路狀態。

? 輸出邏輯: 振蕩器的輸出可以設計為滿足不同的指定的邏輯狀態，如TTL, HCMOS, ECL, Sine, Clipped-Sine (DC cut).

? 諧波失真: 與目標信號頻率相關的諧波頻譜分量導致的非線性失真。 每個諧波分量的功率是與所需信號輸出功率的一個相對比值，單位通常表示為dBc, 如-20dBc。當需要輸出一個干凈和沒有失真的正弦波信號時，諧波失真指標特別重要。

? 相位噪聲: 振蕩器頻域內短期頻率波動的測量。它通常是指在偏離載頻指定偏移量處在1Hz帶寬內單邊帶功率譜的密度，單位為dBc/Hz。

? Stand By: 一個臨時關閉振蕩器和其它分配器以節省電源的功能。邏輯電平“0”將啟動stand by模式。 在stand by模式下的禁用電流從幾uA到幾十uA不等 (典型值為5μA)。 因為在此模式下振蕩器暫停工作，在輸出穩定之前，最大的啟動時間為10 ms (和啟動時間相同) 。